如何區分記憶體條DDR1，DDR2，DDR3?

我們的科技在飛速地發展，如今電腦的記憶體條已發展到第三代了。那麼，這三代的記憶體條有什麼區別呢？我們怎樣去區分呢？

操作方法

• 01

  圖中紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口，目的是讓我們安裝記憶體時以免插錯。我們從圖中可以看見三代記憶體上都只有一個防呆缺口，大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發現缺口左右兩邊的金屬片數量是不同的。 　　比如DDR 記憶體單面金手指標腳數量為92個（雙面184個），缺口左邊為52個針腳，缺口右邊為40個針腳；DDR2 記憶體單面金手指120個（雙面240個），缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳；DDR3記憶體單面金手指也是120個（雙面240個），缺口左邊 為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。

  
• 02

  在不同的記憶體條上，都分佈了不同數量的塊狀顆粒，它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到，不同規格的記憶體，記憶體顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為 記憶體顆粒「包裝」技術的不同導致的。一般來說，DDR記憶體採用了薄型小尺寸封裝封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用底部球形引腳封裝技術，與薄型小尺寸封裝封裝技術相比，記憶體顆粒 就小巧很多，底部球形引腳封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。
• 03

  延遲值：一代比一代高 　　任何記憶體都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，記憶體的延遲值越小，傳輸速度越快。 　　從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR記憶體的延遲值（第 一位數值大小最重要，普通使用者關注第一位延遲值就可以了）為1.5、2、2.5、3；而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6；到了DDR3時 代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。
• 04

  功耗：一次又一次降低 　　電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的，記憶體電壓的高低，也反映了記憶體工作的實際功耗。一 般而言，記憶體功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V 降至1.8V；到了DDR3記憶體時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR記憶體發展到 DDR3記憶體，儘管記憶體頻寬大幅提升，但功耗反而降低，此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。
• 05

  製造工藝：不斷提高 　　從DDR到DDR2再到DDR3記憶體，其製造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好，成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米 製造工藝，而DDR2顆粒採用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝（1微米＝1000納米）。
• 06

  總結 　　記憶體的知識就講到這裡了，總的說來，記憶體主要扮演著CPU資料倉儲的角色，所以CPU效能的提升，記憶體的容量和效能都要跟得上，但也不可盲目地把記憶體容量 配得過大。對於大多數使用者來說2GB DDR2 800MHz的記憶體就足夠了，而偏高階一點的電腦使用總容量為4GB的記憶體就差不多了。 　　記憶體條怎樣區分是幾代的？有什麼區別？ 　　1.SDR兩個缺口，單面84針腳，雙面168針腳，電壓3.3V，記憶體顆粒長方形（已淘汰）。 　　2.DDR1（第一代）一個缺口，單面92針腳，雙面184針腳，電壓2.5V，記憶體顆粒長方形        工作頻率266MHz，333MHz，400 MHz。 　　3.DDR2（第二代）一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.8V，記憶體顆粒正方形       工作頻率533 MHz，667 MHz，800 MHz。 　　4.DDR3（第三代）一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.5V，記憶體顆粒正方形       工作頻率1066 MHz，1333 MHz，1800 MHz。
• End