記憶體時序怎麼調

操作方法

• 01

  第一，簡單說    從主機板BIOS裡面調，找到記憶體的設定，把引數調低，數位越小代表延遲越低速度也就越快，速度越快記憶體越不穩定，最後連開機都不能了，這時候你沒的選擇，清BIOS……重新再來。
• 02

  第二，複雜理論資料解釋，堅持看完你就能變愛因斯坦了。
  與傳統的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：雙倍速率SDRAM），最重要的改變是在介面資料傳輸上，其在時鐘訊號上升緣與下降緣時各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速率為傳統SDRAM的兩倍。同樣地，對於其標稱的如DDR400，DDR333，DDR266數值，代表其工作頻率其實僅為那些數值的一半，也就是說DDR400工作頻率為200MHz。
  FSB與記憶體頻率的關係
  首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端匯流排)和記憶體比率與記憶體實際執行頻率的關係。
  FSB/MEM比率實際執行頻率
  1/1200MHz
  1/2100MHz
  2/3133MHz
  3/4150MHz
  3/05120MHz
  5/6166MHz
  7/10140MHz
  9/10180MHz
  對於大多數玩家來說，FSB和記憶體同步，即1:1是使效能最佳的選擇。而其他的設定都是非同步的。同步後，記憶體的實際執行頻率是FSBx2，所以，DDR400的記憶體和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步後，記憶體的實際執行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。
  FSB與不同速度的DDR記憶體之間正確的設定關係
  強烈建議採用1：1的FSB與記憶體同步的設定，這樣可以完全發揮記憶體頻寬的優勢。
  記憶體時序設定
  記憶體引數的設定正確與否，將極大地影響系統的整體效能。下面我們將針對記憶體關於時序設定引數逐一解釋，以求能讓大家在記憶體引數設定中能有清晰的思路，提高電腦系統的效能。
  涉及到的引數分別為：
  CPC : Command Per Clock
  tCL : CAS Latency Control
  tRCD : RAS to CAS Delay
  tRAS : Min RAS Active Timing
  tRP : Row Precharge Timing
  tRC : Row Cycle Time
  tRFC : Row Refresh Cycle Time
  tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
  tWR : Write Recovery Time
  ……及其他引數的設定
  首先，需要在BIOS中開啟手動設定，在BIOS設定中找到「DRAM Timing Selectable」，BIOS設定中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為「Menual」（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整記憶體時序，應該先開啟手動設定，之後會自動出現詳細的時序參數列：
  CPC : Command Per Clock
• 03

  可選的設定：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
  Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR記憶體的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選訊號進行），然後才是L-Bank/行啟用與列地址的選擇。這個引數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行啟用命令，單位是時鐘週期。
  顯然，CPC越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此引數調長。目前的大部分主機板都會自動設定這個引數。
  該引數的預設值為Disable(2T)，如果玩家的記憶體質量很好，則可以將其設定為Enable(1T)。
  tCL : CAS Latency Control(tCL)
  可選的設定：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
  一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如「3-4-4-8」這一類的數位序列，上述數位序列分別對應的引數是「CL-tRCD-tRP-tRAS」。這個3就是第1個引數，即CL引數。
  CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是「記憶體讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間」。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進位制的地址，或者說是記憶體矩陣中的列地址，所以它是最為重要的引數，在穩定的前提下應該儘可能設低。　　記憶體是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電後，記憶體才真正開始初始化RAS。一旦tRAS啟用後，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要資料的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，週期結束，接著通過CAS存取所需資料的精確十六進位制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到資料的最後一個步驟，也是記憶體引數中最重要的。
  這個引數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該引數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個引數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能執行在較低的延遲，可能會丟失資料，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使記憶體執行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高CAS延遲。
  該引數對記憶體效能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的記憶體讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的效能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶片可能無法設為3。
  tRCD : RAS to CAS Delay
  可選的設定：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
  該值就是「3-4-4-8」記憶體時序引數中的第2個引數，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，效能越好。對記憶體進行讀、寫或重新整理操作時，需要在這兩種脈衝訊號之間插入延遲時鐘週期。在JEDEC規範中，它是排在第二的引數，降低此延時，可以提高系統效能。建議該值設定為3或2，但如果該值設定太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。
  如果你的記憶體的超頻效能不佳，則可將此值設為記憶體的預設值或嘗試提高tRCD值。
  tRAS : Min RAS Active Timing
  可選的設定：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
  該值就是該值就是「3-4-4-8」記憶體時序引數中的最後一個引數，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示「記憶體行有效至預充電的最短週期」，調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。
  如果tRAS的週期太長，系統會因為無謂的等待而降低效能。降低tRAS週期，則會導致已被啟用的行地址會更早的進入非啟用狀態。如果tRAS的週期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成資料的突發傳輸，這樣會引發丟失資料或損壞資料。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘週期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設定為7個時鐘週期。為提高系統效能，應儘可能降低tRAS的值，但如果發生記憶體錯誤或系統宕機，則應該增大tRAS的值。
  tRP : Row Precharge Timing(tRP)
  可選的設定：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
  該值就是「3-4-4-8」記憶體時序引數中的第3個引數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"記憶體行地址控制器預充電時間"，預充電引數越小則記憶體讀寫速度就越快。
  tRP用來設定在另一行能被啟用之前，RAS需要的充電時間。tRP引數設定太長會導致所有的行啟用延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地啟用下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數記憶體都是個很高的要求，可能會造成行啟用之前的資料丟失，記憶體控制器不能順利地完成讀寫操作。對於桌面計算機來說，推薦預充電引數的值設定為2個時鐘週期，這是最佳的設定。如果比此值低，則會因為每次啟用相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘週期，這將影響DDR記憶體的讀寫效能，從而降低效能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘週期。
  一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的效能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分記憶體都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該引數。
  tRC : Row Cycle Time(tRC)
  可選的設定：Auto，7-22，步幅值1。
  Row Cycle Time(tRC、RC)，表示「SDRAM行週期時間」，它是包括行單元預充電到啟用在內的整個過程所需要的最小的時鐘週期數。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設定該引數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘週期後啟用新的地址而等待無謂的延時，而降低效能。然後一旦該值設定過小，在被啟用的行單元被充分充電之前，新的週期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致資料丟失和損壞。
  因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設定，如果你的記憶體模組的tRAS值是7個時鐘週期，而tRP的值為4個時鐘週期，則理想的tRC的值應當設定為11個時鐘週期。
  tRFC : Row Refresh Cycle Time
  可選的設定：Auto，9-24，步幅值1。
  Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示「SDRAM行重新整理週期時間」，它是行單元重新整理所需要的時鐘週期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次傳送重新整理指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
  通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設定，17-19是記憶體超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘週期。
  tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
  可選的設定：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
  Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次傳送啟用指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
  延遲越低，表示下一個bank能更快地被啟用，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的資料，太短的延遲會引起連續資料膨脹。於桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘週期，這是最佳的設定，此時的資料膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次啟用相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘週期，這將影響DDR記憶體的讀寫效能，從而降低效能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘週期。
  tWR : Write Recovery Time
  可選的設定：Auto，2，3。
  Write Recovery Time (tWD)，表示「寫恢復延時」。該值說明在一個啟用的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘週期。這段必須的時鐘週期用來確保在預充電發生前，寫緩衝中的資料可以被寫進記憶體單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統效能，但可能導致資料還未被正確寫入到記憶體單元中，就發生了預充電操作，會導致資料的丟失及損壞。
  如果你使用的是DDR200和266的記憶體，建議將tWR值設為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。
  tWTR : Write to Read Delay
  可選的設定：Auto，1，2。
  Write to Read Delay (tWTR)，表示「讀到寫延時」。三星公司稱其為「TCDLR (last data in to read command)」，即最後的資料進入讀指令。它設定向DDR記憶體模組中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘週期。
  tWTR值為2在高時脈頻率的情況下，降低了讀效能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得記憶體晶片執行於高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模組執行於比其預設速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。
  tREF : Refresh Period
  可選的設定：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。
  Refresh Period (tREF)，表示「重新整理週期」。它指記憶體模組的重新整理週期。
  先請看不同的引數在相同的記憶體下所對應的重新整理週期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這裡表示該重新整理週期尚無對應的準確資料。
  1552= 100mhz(?.??s)　　2064= 133mhz(?.??s)　　2592= 166mhz(?.??s)　　3120= 200mhz(?.??s) 　　---------------------　　3632= 100mhz(?.??s)　　4128= 133mhz(?.??s)　　4672= 166mhz(?.??s)　　0064= 200mhz(?.??s)　　---------------------　　0776= 100mhz(?.??s)　　1032= 133mhz(?.??s)　　1296= 166mhz(?.??s)　　1560= 200mhz(?.??s)　　---------------------　　1816= 100mhz(?.??s)　　2064= 133mhz(?.??s)　　2336= 166mhz(?.??s)　　0032= 200mhz(?.??s)　　---------------------　　0388= 100mhz(15.6us)　　0516= 133mhz(15.6us)　　0648= 166mhz(15.6us)　　0780= 200mhz(15.6us)　　---------------------　　0908= 100mhz(7.8us)　　1032= 133mhz(7.8us)　　1168= 166mhz(7.8us)　　0016= 200mhz(7.8us)　　---------------------　　1536= 100mhz(3.9us)　　2048= 133mhz(3.9us)　　2560= 166mhz(3.9us)　　3072= 200mhz(3.9us)　　---------------------　　3684= 100mhz(1.95us)　　4196= 133mhz(1.95us)　　4708= 166mhz(1.95us)　　0128= 200mhz(1.95us)
  如果採用Auto選項，主機板BIOS將會查詢記憶體上的一個很小的、名為「SPD」(Serial Presence Detect )的晶片。SPD儲存了記憶體條的各種相關工作引數等資訊，系統會自動根據SPD中的資料中最保守的設定來確定記憶體的執行引數。如過要追求最優的效能，則需手動設定重新整理週期的引數。一般說來，15.6us適用於基於128兆位記憶體晶片的記憶體（即單顆容量為16MB的記憶體），而7.8us適用於基於256兆位記憶體晶片的記憶體（即單顆容量為32MB的記憶體）。注意，如果tREF重新整理週期設定不當，將會導致記憶體單元丟失其資料。
  另外根據其他的資料顯示，記憶體儲存每一個bit，都需要定期的重新整理來充電。不及時充電會導致資料的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的儲存單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地存取。但如果不充電，資料只能儲存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就重新整理一行。每次重新整理時資料就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性記憶體。一般通過同步的RAS-only的重新整理方法（行重新整理），每行每行的依次重新整理。早期的EDO記憶體每重新整理一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的記憶體每列的重新整理時間為15.6?s x2048行=32ms。
  tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數值。通常15.6us和3.9us都能穩定執行，1.95us會降低記憶體頻寬。很多玩家發現，如果記憶體質量優良，當tREF重新整理週期設定為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的效能／穩定性比。
  tWCL : Write CAS Latency
  可選的設定：Auto，1-8
  Write CAS Latency (tWCL)，表示「寫指令到行地址控制器延時」。SDRAM記憶體是隨機存取的，這意味著記憶體控制器可以把資料寫入任意的實體地址，大多數情況下，資料通常寫入距離當前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設為1T，這個引數和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相對的，tCL表示讀的延遲。
  DRAM Bank Interleave
  可選的設定：Enable， Disable
  DRAM Bank Interleave，表示「DRAM Bank交錯」。這個設定用來控制是否啟用記憶體交錯式(interleave)模式。Interleave模式允許記憶體bank改變重新整理和存取週期。一個bank在重新整理的同時另一個bank可能正在存取。最近的實驗表明，由於所有的記憶體bank的重新整理週期都是交叉排列的，這樣會產生一種流水線效應。
  雖然interleave模式只有在不同bank提出連續的的定址請求時才會起作用，如果處於同一bank，資料處理時和不開啟interleave一樣。CPU必須等待第一個資料處理結束和記憶體bank的重新整理，這樣才能傳送另一個地址。目前所有的記憶體都支援interleave模式，在可能的情況下我們建議開啟此項功能。
  Disable對將減少記憶體的頻寬，但使系統更加穩定。
  DQS Skew Control
  可選的設定：Auto，Increase Skew，Decrease Skew
  DQS Skew Control，表示「DQS時間差控制」。穩定的電壓可以使記憶體達到更高的頻率，電壓浮動會引起較大的時間差（skew），加強控制力可以減少skew，但相應的DQS（資料控制訊號）上升和下降的邊緣會出現電壓過高或過低。一個額外的問題是高頻訊號會引起追蹤延遲。DDR記憶體的解決方法是通過簡單資料選通脈衝來增加時鐘推進。
  DDRII引進了更先進的技術：雙向的微分I/O快取器來組成DQS。微分表示用一個簡單脈衝訊號和一個參考點來測量訊號，而並非訊號之間相互比較。理論上提升和下降訊號應該是完全對成的，但事實並非如此。時鐘和資料的失諧就產生了DQ-DQS skew。
  同樣地，設定為Increase Skew可以提升效能，而Decrease Skew在犧牲一定效能的情況下，可以增加穩定性。
  DQS Skew Value
  可選的設定：Auto，0-255，步進值為1。
  當我們開啟了DQS skew control後，該選項用來設定增加或減少的數值。值越大，表示速度越快。
  DRAM Drive Strength
  可選的設定：Auto，1-8，步進值為1。
  DRAM Drive Strength（也被稱為：driving strength），表示「DRAM驅動強度」。這個引數用來控制記憶體資料匯流排的訊號強度，數值越高代表訊號強度越高，增加訊號強度可以提高超頻的穩定性。但是並非訊號強度高就一定好，三星的TCCD記憶體晶片在低強度訊號下效能更佳。
  如果設為Auto，系統通常會設定為一個較低的值。對使用TCCD的晶片而言，表現會好一些。但是其他的記憶體晶片就並非如此了，一般說來，1、3、5 、7都是效能較弱的引數，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設定，8提供了最強的訊號強度。TCCD建議引數為3、5或7，其他晶片的記憶體建議設為6或8。
  DRAM Data Drive Strength
  可選的設定：Auto，1-4，步進值為1。
  DRAM Data Drive Strength表示「DRAM資料驅動強度」。這個引數決定記憶體資料匯流排的訊號強度，數值越高代表訊號強度越高。它主要用於處理高負荷的記憶體讀取時，增加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統記憶體的讀取負荷很高，則應將該值設定為高(Hi/High)。它有助於對記憶體資料匯流排超頻。但如果你並沒有超頻，提升記憶體傳輸線的訊號強度，可以提高超頻後速度的穩定性。此外，提升記憶體資料匯流排的訊號強度並不能增強SDRAM DIMM的效能。因此，除非你記憶體有很高的讀取負荷或試圖超頻DIMM，建議設定DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。
  要處理大負荷的資料流時，需要提高記憶體的駕馭能力，你可以設為Hi或者High。超頻時，調高此項引數可以提高穩定性。此外，這個引數對記憶體效能幾乎沒什麼影響。所以，除非超頻，一般使用者建議設為Lo/Low。
  Idle Cycle Limit
  可選的設定：Auto，0-256，無固定步進值。
  Idle Cycle Limit這個參數列示「空閒週期限制」。這個引數指定強制關閉一個也開啟的記憶體頁面之前的memclock數值，也就是讀取一個記憶體頁面之前，強制對該頁面進行重充電操作所允許的最大時間。
  BIOS中的該值設定為Auto時，實際上此時執行的是預設值256。質量好的記憶體可以嘗試16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。
  Dynamic Counter
  可選的設定：Auto， Enable， Disable。
  Dynamic Counter這個參數列示「動態計數器」。這個引數指定開啟還是關閉動態空閒週期計數器。如果選擇開啟（Enable），則會每次進入記憶體頁表(Page Table)就強制根據頁面衝突和頁面錯誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通訊量的比率而動態調整Idle Cycle Limit的值。這個引數和前一個Idle Cycle Limit是密切相關的，啟用後會遮蔽掉當前的Idle Cycle Limit，並且根據衝突的發生來動態調節。
  BIOS中的該值設定為Auto和關閉和一樣的。開啟該設定可能會提升效能，而關閉該設定，可以使系統的更穩定。
  R/W Queue Bypass
  可選的設定：Auto，2x，4x，8x，16x。
  R/W Queue Bypass表示「讀／寫佇列忽略」。這個引數指定在優化器被重寫及DCI (裝置控制介面：Device Control Interface)最後一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫佇列的時間。這個引數和前一個Idle Cycle Limit是相類似，只是優化器影響記憶體中的讀／寫佇列。
  Bypass Max
  可選的設定：Auto， 0x-7x， 步進值為1。
  Bypass Max表示「最大忽略時間」。這個參數列示優化器選擇否決之前，最後進入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被優化器忽略的時間。
  BIOS中的該值預設為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的效能及穩定性。如果你的系統穩定，則保留該值。但如果不穩定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統效能越強，該值越小，則會是系統越穩定。
  32 Byte Granulation
  可選的設定：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。
  32 Byte Granulation表示"32位元顆粒化"。當該引數設定為關閉(Disable)時，就可以選擇突發計數器，並在32位元的資料存取的情況下，最佳化資料匯流排頻寬。因此該引數關閉後可以達到最佳效能的目的。
  絕大多數情況下，建議選擇Disable(8burst)選項。開啟Enable (4burst)可以使系統更穩定一些。
• End