MLC是什麼

2020-10-18 10:15:35

　　NAND Flash產品可以分為三大架構，分別是單層式儲存 (Single Level Cell;SLC)，包括三星電子、Hynix、美光(Micron)以及東芝都是此技術使用者，第二種則是多層式儲存(Multi Level Cell;MLC)，目前有東芝、Renesas使用，不過三星電子將在2005第四季推出相關產品，最後則是英飛凌(Infineon)與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術所共同開發的多位儲存(Multi Bit Cell;MBC)。今天我們只談SLC和MLC。

　　MLC是英特爾(Intel)在1997年9月最先開發成功的，通過精確控制Floating Gat上的電荷數量，使其呈現出4種不同的儲存狀態，每種狀態代表兩個二進位制數值(從00到11)。

　　也就是說SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構可以有比較好的儲存密度，再加上可利用比較老舊的生產程備來提高產品的容量，而無須額外投資生產裝置，擁有成本與良率的優勢。

　　不過MLC架構有著缺點，首先是使用壽命較短，MLC架構只能承受約1萬次的存取，遠低於SLC架構的10萬次。其次就是存取速度，SLC架構比MLC架構要快速三倍以上，加上MLC架構對於電力的消耗較多。

　　看來好像MLC不能使用了至少不成熟，而事事有個萬一。因為現在三星在大批次生產MLC晶片，而三星又出品ARM主控晶片，所以相對其他的MP3主控晶片三星的主控晶片和三星MLC晶片的相容相就更好。使用其他MLC晶片的MP3由於相容性的問題有時就會出現讀寫速度慢，有快閃記憶體壞塊等問題。

　　可以說MLC無論是在成本上考慮還是在容量發展上考慮都是很好的發展方向，而現在需要做的是完善這個技術，更好的利用這個技術。

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