海盜船復仇者4G DDR3 1600散熱怎麼樣

2020-10-19 10:35:08

　　無需擔心功耗問題，在記憶體方面不同於其他的硬體，隨著技術的升級記憶體在提升速度的同時由於技術精細程度的提高造成的所需的的電壓和功耗反而降低了，這款記憶體還配備有大面積的散熱片完全沒必要擔心熱功耗問題。

　　DDR3記憶體在達到高頻寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關資料預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗，當然發熱量我們也不需要擔心。就頻寬和功耗之間作個平衡，對比現有的DDR2-800產品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但記憶體頻寬大幅提升，功耗表現也比上代更好。

1、邏輯Bank數量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

2、封裝(Packages)

　　DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

3、突發長度(BL，Burst Length)

　　由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支援，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。

4、定址時序(Timing)

　　就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲(CWD)，這一引數將根據具體的工作頻率而定。

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