宇瞻4GB DDR3 1333 經典系列 調時序有影響嗎

　　不會的，你改的只是記憶體的時序，不會影響到記憶體的顆粒的。這個操作其實沒有更改記憶體的任何物理性質，只是在邏輯方面修改一下，只有在修改電壓的情況下才有可能損壞記憶體的顆粒。同時，修改時序如果與系統的其他硬體產生相容性問題的情況就會造成宕機或者無法開機的情況的。

　　CL(CAS Latency)：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。

　　記憶體負責向CPU提供運算所需的原始資料，而目前CPU執行速度超過記憶體資料傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待記憶體提供資料，這就是常說的「CPU等待時間」。記憶體傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體效能受到的影響就越大。因此，快速的記憶體是有效提升CPU效率和整機效能的關鍵之一。

　　在實際工作時，無論什麼型別的記憶體，在資料被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通訊，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設定一定程度上反映出了該記憶體在CPU接到讀取記憶體資料的指令後，到正式開始讀取資料所需的等待時間。不難看出同頻率的記憶體，CL設定低的更具有速度優勢。

記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS」的設定

　　首先，需要在BIOS中開啟手動設定，在BIOS設定中找到“DRAM Timing Selectable」，BIOS設定中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Manual」(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調整記憶體時序，應該先開啟手動設定，之後會自動出現詳細的時序參數列：

Command Per Clock(CPC)

　　可選的設定：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR記憶體的定址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選訊號進行)，然後才是L-Bank/行啟用與列地址的選擇。這個引數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行啟用命令，單位是時鐘週期。

　　顯然，也是越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此引數調長。目前的大部分主機板都會自動設定這個引數。

　　該引數的預設值為Disable(2T)，如果玩家的記憶體質量很好，則可以將其設定為Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設定：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如“3-4-4-8」這一類的數位序列，上述數位序列分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS」。這個3就是第1個引數，即CL引數。