兆易創新公佈自研記憶體進展：首發4Gb DDR3、明年上半年問世

2020-11-03 04:00:26

2019年國內的合肥長鑫推出了國產DDR4記憶體，結束了國內沒有DRAM晶片自產的日子，此後也有其他公司準備進軍記憶體市場，比如兆易創新。該公司日前透露了其記憶體計劃，2021年上半年將推出4Gb DDR3記憶體。

兆易創新在電話會議中透露，自研DRAM現在還在按照原計劃進行，目前研發進度跟預期基本一樣，預期明年上半年會有產品出來。

兆易創新表示，自研第一個產品會是DDR3, 4Gb，面向利基市場。

2021年還在研發DDR3記憶體？別急，雖然明年DDR3記憶體已經不是什麼新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創新主要是用於利基市場，也就是消費電子產品，對記憶體的效能、容量等要求不高。

考慮到兆易創新的主力產品，比如NOR快閃記憶體、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費電子等市場的，其首款記憶體主打這一市場也不讓人意外。

即便是DDR3記憶體，對任何沒有記憶體研發、設計經驗的公司來說，技術門檻還是很高的，兆易創新選擇看似落後但比較穩妥的研發路線也沒什麼可說的。

去年底，兆易創新宣佈募資33.2億元研發記憶體，這點錢並不算多，所以研發DDR3記憶體情有可原。

他們還公佈了記憶體研發的路線圖，如下所示：

·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM晶片產品定義，包括市場定位、產品規格及晶片設計工藝。

·2020年，兆易創新將定義首款晶片的生產職稱，並將經過驗證後的設計開展流片試樣，反覆修改直至通過系統驗證。

·2021年，對首款晶片試樣進行封裝測試，並送交系統晶片商進行功能認證，並最終通過客戶驗證。

·2021年，首款晶片通過驗證之後進行小批次生產，測試成功後進行大批次生產。

·2022-2025年，進行新系列晶片研發及量產。