2021-05-12 11:00:58
12nm工藝 紫光國芯釋出GDDR6控制器晶片：速率可達16Gbps
2020-11-07 04:00:30
不經意間，中國的晶片公司又闖入了一個新領域，日前西安紫光國芯宣佈推出12nm工藝的GDDR6儲存控制器和物理介面IP（GDDR6 MC/PHY IP）。
紫光國芯之前做過DDR記憶體晶片，還有就是NAND快閃記憶體，推出視訊記憶體相關的IP晶片還是第一次，而且水準不低，製程工藝使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工藝，做的也是GDDR6儲存控制器和物理介面IP（GDDR6 MC/PHY IP），大家可以理解為GDDR6視訊記憶體的主控晶片。
根據紫光國芯介紹，這個GDDR6 MC/PHY IP包括一個可設定的記憶體控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準，並允許設計工程師生成具有優化延遲和頻寬的GDDR6控制器以滿足高效能應用的要求，如顯示卡，遊戲機和AI計算等。
該IP針對功耗和效能進行了優化設計，西安紫光國芯的GDDR6物理介面（PHY）提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的資料速率，同時相容JEDEC250和DFI3.1標準。
物理介面（PHY）部分還嵌入了高效能鎖相環以滿足嚴格的時序規範。
與主流GDDR6儲存顆粒整合，經過流片測試驗證，該IP的效能在12Gbps/14Gbps/16Gbps資料率時滿足設計規格要求。且當資料率為16Gbps時，平均每個DQ的最大功耗小於4mW/Gbps。
目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經在格芯的12LP工藝平臺上架。
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