國產記憶體長鑫儲存獲149億投資！明年四季度DRAM投片量將超南亞

11月11日晚間，兆易創新發布公告，宣佈已與合肥市產業投資控股（集團）有限公司（以下簡稱“合肥產投”）、睿力積體電路有限公司（以下簡稱“睿力整合”）共同簽署《<可轉股債權投資協定>的補充協定》，就兆易創以可轉股債權方式向合肥長鑫積體電路有限責任公司（以下簡稱“長鑫整合”）提供本金金額為3億元的可轉股借款事宜進行補充約定。

根據該補充約定，兆易創新現擬出資3億元人民幣，與長鑫整合、合肥石溪集電企業管理合夥企業（有限合夥）（以下簡稱“石溪集電”）、國家積體電路產業投資基金二期股份有限公司（以 下簡稱“大基金二期”）、安徽省三重一創產業發展基金有限公司（以下簡稱“三重一創”）等多名投資人簽署《關於睿力積體電路有限公司之增資協定》（以下簡稱“增 資協定”）、《關於睿力積體電路有限公司之股東協定》（以下簡稱“股東協定”），共同參與睿力整合增資事項，以完成《可轉股債權投資協定》中約定的轉股投資事項。

增資之前，睿力整合的註冊資本總額為189億元，其實繳註冊資本為189億元。其中，石溪集電出資130.44億元，持股比例為69.01%；長鑫整合出資58.56億元，持股比例為30.99%。

此次增資完成後，兆易創新將持有睿力整合約 0.85%股權。根據兆易創新公告曝光的其他機構對於睿力整合的增資情況顯示，而除了兆易創新之外，大基金二期和安徽三重一創基金分別出資47.6億元，參與睿力整合此次的增資，持股比例均為14.08%。

另外，長鑫整合也增資了8.08億元，持股比例為19.72%；合肥集鑫企業管理合夥企業（有限合夥）出資約4.76億元，持股比例為1.41%；其他“跟進投資人”出資約38.08億元，持股比例為11.27%。

總的來看，僅本輪增資，睿力整合一共完成了約148.99億元的增資，增資完成後，睿力整合獲得的股東的總出資額已累計到達337.99億元！

據瞭解，睿力整合主要從事積體電路及相關產品的生產、研發、設計、銷售等業務。國產DRAM廠商長鑫儲存技術有限公司（以下簡稱“長鑫儲存”）為睿力整合旗下僅有的一家全資子公司。

目前長鑫儲存也是國內唯一量產的國產DRAM記憶體廠商。顯然，此次大基金二期及兆易創新等投資人近150億元增資睿力整合，將進一步加速國產DRAM的發展。

值得一提的是，目前，兆易創新董事長朱一明同時也是長鑫儲存的董事長。同時，朱一明先生控制合肥石溪長鑫企業管理合夥企業（有限合夥）（即石溪集電的執行事務合夥人，以下簡 稱“石溪長鑫”）。在本次增資前，石溪集電持股標的公司睿力整合 69.01%。

根據公告顯示，本公告日前 12 個月內，兆易創新從長鑫儲存採購的 DRAM 產品價值約 17,955.58 萬元，雙方產品聯合開發平臺合作產品價值約 1,966.68 萬元。

長鑫儲存明年四季度將超南亞科技，17nm記憶體明年問世

根據TrendForce公佈的2020年二季度全球DRAM記憶體晶片市場資料顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠佔據了全球市場94.6%的份額。排名第四的則是南亞科技，市場份額僅3.2%，其他的廠商份額均不到1%。

顯然，在DRAM記憶體晶片市場，頭部的三家大廠已經形成了強勢的壟斷地位，留給其他廠商的空間非常小。不過，在國產DRAM晶片廠商的努力之下，依託於國內龐大的市場需求，國產DRAM晶片的市場份額也在快速提升。

在11月12日由集邦諮詢(TrendForce)主辦的MTS2021儲存產業趨勢峰會上，TrendForce公佈了2020-2021年全球記憶體廠商晶圓投片量的預估資料。

根據該資料顯示，自去年四季度長鑫儲存的DRAM晶片成功量產之後，其晶圓的投片量持續增長，今年一季度投片量雖然只有1萬片/月，但是隨著長鑫儲存的DRAM產品在使用者端的進一步拓展，其產能也在持續擴張，到今年四季度其投片量已經快速提升到了4.5萬片/月。

而根據TrendForce的預測，到2021年四季度，長鑫儲存的投片量將達到8.5萬片/月，屆時將成功超越目前排名第四的南亞科技（7.1萬片/月），成為僅次於三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM晶片廠商。

當然，所謂的第四名，實際上並沒有太大的意義，因為與前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光，其明年四季度的投片量也高達35.5萬片/月，是預測中的長鑫儲存的8.5萬片/月的投片量的約4.18倍。

這樣巨大的差距也並不是短期內能夠追上的，此外在DRAM技術上，長鑫儲存與前三廠商也存在著較大的差距。

資料顯示，目前長鑫量產的主要是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X晶片，獲得了威剛科技、江波龍FORESEE等儲存品牌廠商的採用。

不過，在DRAM技術上，長鑫儲存相比三星等一線DRAM廠商的技術要落後2-3年時間，所以快速提升技術水平也是長鑫儲存在DRAM市場站穩腳跟的關鍵。

根據今年7月初，安徽省釋出的《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》檔案顯示，希望2-3年內解決一些關鍵技術瓶頸，其中在記憶體技術方面，要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發，要面向中高階移動、平板及消費類產品DRAM儲存晶片自主可控需求，研發先進低功耗高速率LPDDR5 產品並實現產業化，依託DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速介面技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源（電壓）技術、片內糾錯編碼（On-Die ECC）技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發。

而目前國內已經實現量產的DRAM記憶體晶片的國產廠商只有長鑫儲存，而且長鑫儲存也正是位於安徽省會合肥的企業，顯然，這份檔案上所提出的記憶體技術攻關要求，也正是針對長鑫儲存提出的。

另外根據此前的規劃也顯示，長鑫儲存將在2021年完成17nm DRAM的技術研發。

之前曝光的長鑫儲存的路線圖也顯示，接下來長鑫儲存將會推出基於10G3工藝的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，還將推出基於10G5工藝的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。這裡的10G3工藝應該指的就是17nm工藝。