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被美光搶先推出176層快閃記憶體 三星迴應技術延誤:明年追上

2020-11-14 04:00:29

在3D快閃記憶體技術上,作為全球快閃記憶體最大廠商的三星一直是領先的,堆疊層數也是最多的,不過美光日前率先推出了176層堆疊的 3D快閃記憶體,進度比三星要快。

根據美光的說法,176層快閃記憶體其實是基於兩個88層疊加而成,第一批為TLC顆粒,單個Die的容量為512Gb(64GB),當然後期很可能會加入QLC。

更重要的是,美光不只是宣佈了新技術,而且176層快閃記憶體已經量產並出貨了,已經用於一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD,明年還會發布更多新產品。

在176層快閃記憶體技術上,美光這一波操作確實可以,後來者居上了,他們在全球快閃記憶體市場份額上是大幅落後於三星、東芝、西數的,尤其是三星一直是領頭羊。

對於這次沒能首發新一代快閃記憶體,韓國媒體爆料稱三星是遇到技術問題,原本他們計劃一次性堆疊到190層以上,現在也降低目標到176層。

此外,美光、SK海力士都準備用雙堆疊技術做176層快閃記憶體,三星原本希望用單堆疊技術做到200層,發現技術上不可行,導致進度落後了。

報道稱,三星高層雖然拒絕承認技術延誤了,但不得不承認進度確實落後了一截,高官表示技術變化導致他們花費更多時間和投資修改製程,預計明年才能(推出176層)快閃記憶體。

三星追趕的時間可能是在明年Q1季度後,預計2021年4月份推出176層或者更低一些的160層快閃記憶體。


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