長江儲存CEO楊士寧：長江儲存3年走過國際廠商6年的路！

在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學術會議”上，長江儲存科技有限責任公司CEO楊士寧發表了《新形勢下中國晶片製造突圍的新路徑》的主題演講，主要就在三維整合上如何找到突圍之路，他指出，積體電路由二維向三維發展是必行趨勢。這可能不是一條唯一的路徑，但確是一條需要強烈探索的路徑。

平地一聲雷，今年4月份長江儲存宣佈推出128層堆疊的3D NAND快閃記憶體，國外同行發現，長江儲存跳級了，因為3D NAND是從32層、64層、96層逐漸移到128層，但是長江儲存並未推出過96層堆疊，這是怎麼一回事呢？

這就要追溯下長江儲存的歷史淵源，長江儲存前身是武漢新芯，2016年7月，紫光聯合大基金共同出資，在武漢新芯的基礎上，創立長江儲存，並與中科院微電子所在3D NAND上展開合作研究。

2017年年底，長江儲存正式推出了國產首個真正意義上的32層 3D NAND快閃記憶體。

然而國際快閃記憶體市場競爭激烈，此時長江儲存已開始探索一條適合自己的3D NAND技術，這是一條充滿未知的道路，長江儲存堅持創新發展，走差異化路線，於2018年8月正式推出自家的獨門絕技Xtacking架構。

首款採用Xtacking架構，密度與業界96層看齊，具有一定成本優勢的64層堆疊式快閃記憶體則是長江儲存真正意義上面向市場推出的“處女作”，自2019年第三季度起實現規模量產。

傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔晶片面積的20~30%，降低了晶片的儲存密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到晶片整體面積的50%以上。Xtacking技術將外圍電路置於儲存單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的儲存密度。  

採用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責資料I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O介面速度及更多的操作功能。

儲存單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將兩片晶圓鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

長江儲存始終與國際水平差一代的距離，如果還跟著別人後面跑，任何市場上實現不了商業化就只有死路一條，所以長江儲存做出了一個近乎瘋狂的舉措：決定直接跳過96層堆疊快閃記憶體的研發，直接向128層的堆疊上探索。

2020年4月，長江儲存搶先推出了128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片X2-6070。目前長江儲存的技術已經處於全球一流的水準，下一步就是解決產能的問題。

楊士寧介紹，Xtacking主要具有四方面優勢：一是速度快，具有更好的效能表現；二是工藝更結實；三是成本可控，因為密度高；四是具有更高的靈活性。

與國際儲存大廠相比，長江儲存表示，公司用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。長江儲存3年完成了他們6年走過的路，楊士寧直言，長江儲存不做最後一名，爭取公司的下一代產品能夠達到行業前沿。

楊士寧在會上提到，買優質的國產儲存產品，要認準“Xtacking?”商標，有這個商標才有真正的國產快閃記憶體晶片。

另外，據楊士寧介紹，今年8月，Xtacking還成立了生態聯盟，目前已有20多家廠商和100多款產品加入了這個生態圈。

最後，楊士寧總結到，長江儲存將繼續以創新技術為底蘊，在創新這條道路上堅持走下去，有Xtacking平臺的依託，公司在國際和國內方面的合作會更開放。

“長江儲存的研發走的太快了，領導要我走慢一點”楊世寧在會上笑談到。最後，他談到，長江儲存近三年每年的產值要增加10倍，目前在這個趨勢上突飛猛進。