Intel宣佈第三代傲騰持久記憶體：又一次全球首創

2020-12-18 04:00:49

在今年的記憶體與儲存日活動上，Intel不但推出了基於144層QLC NAND快閃記憶體的企業級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費級SSD 670p，基於新一代傲騰媒介的企業級SSD P5800X、混合式SSD H20，還帶來了新一代傲騰持久記憶體(PMem)的訊息。

傲騰持久記憶體條的誕生並非為了取代傳統DRAM DDR系列記憶體，現在不會未來也不會，而是聯合傲騰SSD，共同作為DRAM DDR記憶體條與NAND快閃記憶體固態盤之間的橋樑，填補二者之間在容量、效能上的空檔，構成一個完整的儲存體系。

其中，傲騰持久記憶體通過雙倍資料速率匯流排連線CPU，能夠以DRAM記憶體的速度直接載入和儲存存取，同時兼具非易失性，融合了DRAM記憶體、NAND儲存的最佳特性。

今年6月份，Intel釋出了第二代傲騰持久記憶體PMem 200系列，繼續相容DDR4 DIMM形態，單條容量128/256/512GB，熱設計功耗分別為15/18/18W(比上代降低約3W)，記憶體可選1866/2133/2400/266MHz，頻寬比上代提升25％，資料存取速度比NAND快閃記憶體高出225倍。

第二代傲騰持久記憶體主要搭檔第三代可延伸至強(已釋出的Copper Lake和將釋出的Ice Lake)，每路六通道12條插槽，可以安裝最多6條，再加上6條DDR4記憶體，單路系統記憶體總容量就可以達到驚人的6TB。

二代傲騰持久記憶體，形態和DDR4保持一致

Intel現在宣佈，即將推出代號“Crow Pass”的第三代傲騰持久記憶體，全球第一個引入DDR匯流排，將在代號“Sapphire Rapids”的未來可延伸志強平臺中提供。

Intel沒有披露第三代傲騰持久記憶體的具體特性，不過此前已宣佈，Sapphire Rapids(第四代可延伸至強)平臺將在2021年下半年出貨，基於10nm SuperFin工藝，並引入DDR5記憶體、PCIe 5.0匯流排、CXL 1.1異構互聯協定、AMX先進矩陣擴充套件加速指令集。

這麼來看，第三代傲騰記憶體條將相容DDR5 DIMM形態，並與之聯手。

根據傳聞，Sapphire Rapids將會擁有全新的Golden Cove CPU架構，最多56核心112執行緒(不排除60核心120執行緒)，MCM多晶片封裝設計，同時整合HBM2e高頻寬記憶體，最大容量64GB，最高頻寬1TB/s，提供最多80條PCIe 4.0，最高支援八通道DDR5-4800，熱設計功耗最高400W。

Intel宣佈第三代傲騰持久記憶體：又一次全球首創

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