美光全球首創1αnm記憶體工藝：LPDDR5容量密度大漲40％

2021-01-28 14:00:15

美光今天宣佈，已經開始批次出貨基於1αnm工藝的DRAM記憶體晶片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、效能並降低功耗。

不同於CPU、GPU等新品，DRAM記憶體、NAND快閃記憶體的工藝節點都不使用明確的數位，而是1x、1y、1z、1α等等，越往後越先進，或者說1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。

美光的1αnm DRAM工藝可適用於各種不同的記憶體晶片，尤其適用於最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比於1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓功耗降低15％，能讓5G手機效能更好、機身更輕薄、續航更持久。

DDR4、LPDDR4甚至是未來的DDR5，同樣都能使用這種新工藝，並支援智慧手機、筆電、桌上型電腦、伺服器、嵌入式等各種應用裝置。

美光臺灣晶圓廠已經開始量產並出貨1αnm DRAM記憶體晶片，首批是DDR4記憶體條，隸屬於Crucial英睿達品牌，還在試產和評估LPDDR4，後續會用於更多記憶體型別。