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三星3nm晶片流片成功！即將規模量產，效能強於臺積電

2021-06-30 10:28:46

在晶片工藝的技術方面，目前臺積電和三星無人能及，這兩家公司不但獲得了最多ASML的EUV光刻機，同時也雙雙在3nm工藝上趨於圓滿。在臺積電的3nm工藝將在明年風險試產之後，三星近日也正式宣佈自家的3nm晶片已經流片成功，而且效能還要強於臺積電的3nm。

和之前業內的預測一樣，三星的3nm製程採用的是GAA架構，而臺積電的3nm FinFET架構。所以從技術先進性來說，三星的3nm製程的確要強於臺積電，臺積電要在2nm製程時才會使用GAA架構。當然，3nm對於三星而言也是非常重要的一個節點，因為在5nm工藝上，三星並沒有採用新技術，而是利用7nm改進而來，而臺積電的5nm則是全新技術，所以這方面臺積電要強於三星。

三星在3nm製程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在於加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm製程採用不同於臺積電或英特爾採用的FinFET的架構，而是採用GAA的結構。因此，三星採用了新思科技一個全新的平臺Fusion Design Platform，所以這顆晶片從功能上而言主要實驗性質的，使用者不同平臺晶片的混合設計。

在技術性能上，GAA架構的電晶體能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA的溝道控制能力得以強化，藉此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。所以整個行業其實都承認目前GAA是最先進的技術，包括臺積電也會採用GAA技術，不過那要等到2nm的時候。三星提前在3nm採用這種技術，其實也是希望能在技術上彎道超車臺積電

三星的晶片代工設計技術團隊副總裁表示，三星電子最新且先進的3nm GAA 製程技術，受惠於與新思科技合作，有效達成3nm製程技術承諾，證明關鍵聯盟的重要性和優點。在之前，三星曾在2020年完成3nm的開發，但開發成功並不意味著產品最終進入量產的時間可以確定。但伴隨著此次成功流片，三星3nm晶片大規模量產的時間點已經正式臨近。如果不出意外的話，明年三星會和臺積電正式量產3nm晶片，兩者會在新的晶片領域展開競爭。

先進製程一直是臺積電、三星以及英特爾重要的角力戰場。隨著三星3nm採用GAA打算彎道超車，臺積電則在3nm製程上仍持續採用FinFET架構， 在已知的技術基礎上可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品。至於Intel，現在看來7nm也沒有問題，不出意外的話會在2023年採用，效能堪比臺積電和三星的5nm晶片。另外Intel應該會在5nm工藝上採用GAA技術，屆時效能甚至會超過三星和臺積電的3nm工藝。

現在對於三星的最大問題是客戶相對較少。臺積電的大客戶重大，像3nm工藝的產能就已經被蘋果這樣的大廠商預定，而三星現在的大客戶就是高通和NVIDIA，但是這兩個廠商都沒有決定未來是和三星合作還是和臺積電合作，也沒有廠商宣告會採用三星的3nm工藝，所以在商業渠道這方面，三星和臺積電的差距還是不小。


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