在晶片代工領域，臺積電無論是市場份額還是技術實力，都要遠超三星、中芯國際、英特爾等競爭對手。但是，這並不意味著臺積電能夠在該領域高枕無憂。事實上，三星一直在加緊攻關先進
2021-07-02 03:04:53
三星3nm晶片跳票，2024年才能量產，臺積電可以放心了
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在晶片代工領域，臺積電無論是市場份額還是技術實力，都要遠超三星、中芯國際、英特爾等競爭對手。
但是，這並不意味著臺積電能夠在該領域高枕無憂。事實上，三星一直在加緊攻關先進工藝技術，並投入高額資金，以期能超越臺積電。
目前，三星和臺積電均已經成功量產5nm技術，並且，市場上的驍龍888晶片、麒麟9000以及A14均由這兩家企業代工。
而在下一代3nm工藝方面，三星和臺積電也都有新的進展，根據臺積電公佈的工藝路線來看，新一代的3nm工藝繼續將會在2022年下半年實現量產。
根據外媒報道，三星已經成功流片3nm GAA晶片。據悉，早在2020年時，三星就曾宣佈完成3nm技術的開發，如今3nm工藝技術的成功流片，可以判斷，三星的3nm技術已經非常成熟，距離真正實現3nm晶片量產更進一步。
對於臺積電而言，三星3nm晶片的流片成功，的確帶來不小的壓力。
三星的3nm工藝採用的是更激進的GAA技術，而臺積電的3nm依舊採用傳統的FinFET電晶體技術。
據悉，三星的GAA技術可以顯著增強電晶體效能，主要用來取代FinFET集體管技術。而臺積電使用FinFET技術很難滿足先進工藝的電晶體所需的電流驅動和靜電控制能力，業界普遍認為，未來GAA架構將成為先進製程的主流。
根據三星的說法，與5nm製程工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低50%，效能提高約30%。
雖然三星3nm技術可能比臺積電3nm更強悍，但是，三星的3nm技術何時量產才是業內比較關心的問題。
有分析師援引高通高管之前的表態，認為2023年才會有3nm GAA工藝的晶片問世，甚至會延期至2024年，也就意味著臺積電在3nm方面不用擔心會被三星超越，因為2024年，臺積電的2nm工藝技術快要實現量產。
據瞭解，在2020年臺積電的技術研討會上，臺積電官方表示將在2nm節點引入全環繞柵極技術——GAA技術。
如果三星3nm工藝的量產真的延遲到2024年，那麼與臺積電的2nm工藝相比，差距會更大。
總而言之，臺積電不用擔心被三星短時間內超越，並且，臺積電在光刻機儲備方面要領先於三星，據悉，近年來，ASML生產的超100臺EUV光刻機，其中有70%被臺積電包攬，這也是臺積電在晶圓代工領域最大的優勢。
文/球子 審/JING
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