SK海力士：NAND快閃記憶體將堆疊超過600層

2021-03-25 04:00:22

儲存大廠SK海力士的CEO李錫熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發表主題演講，分享了在快閃記憶體、記憶體未來發展方面的一些規劃和展望。

3D NAND快閃記憶體方面，如今行業的發展重點不是更先進的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數的不斷增加，SK海力士就已經做到了176層。

SK海力士此前認為，3D快閃記憶體的堆疊層數極限是500層，不過現在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。

當然，為了做到這一點，需要在技術方面進行諸多創新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積(ALD)技術，進一步強化快閃記憶體單元屬性，可以更高效地儲存、釋放電荷，並且在堆疊層數大大增加後依然保持電荷一致性。

為了解決薄膜應力(film stress)問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。

為了解決堆疊層數增加後儲存單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發了獨立的電荷阱氮化物(CTN)結構，以增強可靠性。

另外針對DRAM記憶體發展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝製程推進到10nm以下。