DDR2和DDR3有什麼區別？DDR2和DDR3的區別

DDR2和DDR3的區別

　　DDR2和DDR3的插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，效能高。

　　DDR3記憶體相對於DDR2記憶體，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量記憶體的支援較好，而大容量記憶體的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位元作業系統的執行上限(不考慮PAE等等的記憶體映像模式，因這些32位元元元延伸模式只是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技術主流)當市場需求超過4GB的時候，64位元CPU與作業系統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3記憶體的普及時期。

一、DDR2與DDR3記憶體的特性區別：

　　1、邏輯Bank數量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

　　2、封裝(Packages)

　　由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

　　3、突發長度(BL，Burst Length)

　　由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。

　　4、定址時序(Timing)

　　就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲(CWD)，這一引數將根據具體的工作頻率而定。

二、與DDR2相比DDR3具有的優點(桌上型unbuffered DIMM)：

　　1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下資料傳輸量將會是DDR2的兩倍。

　　2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，內部增加溫度senser，可依溫度動態控制更新率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，達到省電目的。

　　3.容量更大：更多的Bank數量，依照JEDEC標準，DDR2應可出到單位元元4Gb的容量(亦即單條模組可到8GB)，但目前許多DRAM廠商的規劃，DDR2生產可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模組，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模組容量將從1GB起跳，目前規劃單條模組到16GB也沒問題(注意：這裡指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限)。