威剛萬紫千紅記憶體時序可以調嗎

　　不會的，你改的只是記憶體的時序，不會影響到記憶體的顆粒的。這個操作其實沒有更改記憶體的任何物理性質，只是在邏輯方面修改一下，只有在修改電壓的情況下才有可能損壞記憶體的顆粒。

　　CL(CAS Latency)：為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。

　　記憶體負責向CPU提供運算所需的原始資料，而目前CPU執行速度超過記憶體資料傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待記憶體提供資料，這就是常說的「CPU等待時間」。記憶體傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體效能受到的影響就越大。因此，快速的記憶體是有效提升CPU效率和整機效能的關鍵之一。

　　在實際工作時，無論什麼型別的記憶體，在資料被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通訊，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設定一定程度上反映出了該記憶體在CPU接到讀取記憶體資料的指令後，到正式開始讀取資料所需的等待時間。不難看出同頻率的記憶體，CL設定低的更具有速度優勢。

記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS」的設定

　　首先，需要在BIOS中開啟手動設定，在BIOS設定中找到“DRAM Timing Selectable」，BIOS設定中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Manual」(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調整記憶體時序，應該先開啟手動設定，之後會自動出現詳細的時序參數列：

Command Per Clock(CPC)

　　可選的設定：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR記憶體的定址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選訊號進行)，然後才是L-Bank/行啟用與列地址的選擇。這個引數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行啟用命令，單位是時鐘週期。

　　顯然，也是越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此引數調長。目前的大部分主機板都會自動設定這個引數。

　　該引數的預設值為Disable(2T)，如果玩家的記憶體質量很好，則可以將其設定為Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設定：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如“3-4-4-8」這一類的數位序列，上述數位序列分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS」。這個3就是第1個引數，即CL引數。