2021-05-12 11:00:58
海盜船復仇者4G DDR3 1600散熱怎麼樣
無需擔心功耗問題,在記憶體方面不同於其他的硬體,隨著技術的升級記憶體在提升速度的同時由於技術精細程度的提高造成的所需的的電壓和功耗反而降低了,這款記憶體還配備有大面積的散熱片完全沒必要擔心熱功耗問題。
DDR3記憶體在達到高頻寬的同時,其功耗反而可以降低,其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V,相關資料預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗,當然發熱量我們也不需要擔心。就頻寬和功耗之間作個平衡,對比現有的DDR2-800產品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X,不但記憶體頻寬大幅提升,功耗表現也比上代更好。
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝(Packages)
DDR3由於新增了一些功能,所以在引腳方面會有所增加,8bit晶片採用78球FBGA封裝,16bit晶片採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。
3、突發長度(BL,Burst Length)
由於DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸週期(BL,Burst Length)也固定為8,而對於DDR2和早期的DDR架構的系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止,且不予支援,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。
4、定址時序(Timing)
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣,DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲(CWD),這一引數將根據具體的工作頻率而定。
相關文章
-
7+2強化供電!599元梅捷SY-狂龍H510M圖賞
除了廣為人知的Z590和B560之外,英特爾還發布了入門級的H510晶片組,也是上一代H410晶片組的升級版。 在相容性方面,H510晶片組與Z590晶片組和B560晶片組沒有什麼區別,都可以相容1
2021-05-10 19:00:28
-
支援5333高頻記憶體!技嘉小雕PRO B560M主機板圖賞
Intel第十一代酷睿已經上市,新架構帶來了巨大的IPC提升幅度,同時,Intel還開放了B560/H570主機板的記憶體超頻功能,這使得主流玩家也可以輕鬆享受高頻記憶體帶來的流暢遊戲體驗。
2021-05-09 16:00:04
-
24K純金!微星MEG Z590 ACE GOLD EDITION戰神至臻圖賞
顯示卡、散熱器、風扇都能玩RGB,機箱中,主機板幾乎是最不起眼的存在。 而近日,微星推出了一款亮眼的主機板,首次用上了24K純金設計,它就是MEG Z590 ACE戰神至臻,一起來瞧瞧。 MEG
2021-05-07 22:00:14