2021-05-12 11:00:58
ddr4怎麼樣?ddr4和ddr3的區別
ddr4怎麼樣
在春暖花開的季節裡,記憶體市場也迎來了新春,這段時間,各大記憶體顆粒、模組廠商都突然活躍起來,紛紛宣揚各自的DDR4產品進展,雖然DDR4記憶體標準規範的正式公佈是在2012年9月底,不過DDR4記憶體規格原計劃是在2011年制定完成,2012年開始投入生產並上市的。所以在之前的很長一段時間,三星、SK海力士、美光等多家DRAM廠商都已經完成了DDR4記憶體晶片的開發,並計劃進行量產,奈何DDR4記憶體標準一直未見公佈,他們也不敢輕舉妄動。所以可以說DDR4記憶體的出現已經是醞釀已久了。
如今DDR4已經欲勢待發,只是在等待相應的主機板與CPU上市了,那麼相比DDR3,都有了哪些比較重要的改進呢?一起來看一下:
1.DDR4記憶體條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀
2.DDR4記憶體頻率提升明顯,可達4266MHz
3.DDR4記憶體容量提升明顯,可達128GB
4.DDR4功耗明顯降低,電壓達到1.2V、甚至更低
很多電腦使用者可能對於記憶體的內在改進不會有太多的關注,而外在的變化更容易被人發現,一直一來,記憶體的金手指都是直線型的,而在DDR4這一代,記憶體的金手指發生了明顯的改變,那就是變得彎曲了,其實一直一來,平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後,受到的摩擦力較大,因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況,為了解決這個問題,DDR4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
其次,DDR4記憶體的金手指本身設計有較明顯變化。金手指中間的“缺口」也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面,普通DDR4記憶體有284個,而DDR3則是240個,每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm,筆記型電腦記憶體上使用的SO-DIMM DDR4記憶體有256個觸點,SO-DIMM DDR3有204個觸點,間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。
第三,標準尺寸的DDR4記憶體在PCB、長度和高度上,也做出了一定調整。由於DDR4晶片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要,因此DDR4的PCB層數相比DDR3更多,而整體尺寸也有了不同的變化,如上圖。
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