針對國產光刻機，2位專家態度截然不同，給出2個不同的結果

2021-06-05 18:24:17

晶片製造要經歷數百道工序，其中光刻是最重要的步驟之一。光刻佔整個晶片製造成本的30%，佔比最高；而且，光刻直接定義電晶體尺寸，決定晶片精度。

中國光刻機落後

但是光刻步驟所需的光刻機，卻是我國的一大痛點。

資料顯示，在全球光刻機市場中荷蘭ASML獨佔74%的份額，尼康、佳能等則瓜分餘下的份額。

目前，ASML光刻機早已用來量產5nm晶片。

根據最新訊息，ASML孔徑數值為0.55的EXE:5000光刻機的曝光系統已經設計完成，於2022年可正式發貨。EXE:5000光刻機可用於量產2nm製程晶片，甚至是1nm及以下。

反觀我國，光刻機進展十分緩慢。目前，我國正卡在90nm光刻技術上，遲遲沒有更先進光刻機量產的訊息。

光刻機已經成為制約國產晶片高階化、自主化的一大短板。

2位專家態度截然不同

針對中國光刻機短板，許多專家對此發表了自己的觀點。不過，近來兩位專家給出了2種不同的結果，引起了不少人疑惑。

在5月25日的2021數博會上，中國工程院院士吳漢明表示，光刻機是一個全球化的結晶，如果讓一個國家或地區做一個光刻機是不現實的。

而在日前舉行的2021年中國企業未來發展論壇上，北京大學國發院名譽院長林毅夫稱，ASML的CEO擔心，若進行光刻機出口中國，中國可能在3年內掌握這一技術，而且中國光刻機的價格會更低，將同ASML搶飯碗。

短短几天裡，兩位中國專家卻表現出截然不同的態度，這究竟是為何？

其實，二人討論的光刻機種類不同。

DUV光刻機與EUV光刻機

ASML CEO所擔憂的是，中國在DUV光刻機上的突破；而吳漢明院士針對的是EUV光刻機。

DUV光刻機同EUV光刻機最明顯的差別在於波長。DUV光刻機波長最短為193nm（等效134nm），而EUV光刻機的波長僅為13.5nm。

EUV光刻機的精度更高，能實現的解析度也更高。因此，想要量產10nm及以下製程晶片，必須要用EUV光刻機。

但是，EUV光刻機的研製難度也是翻倍提升。光刻機被稱為「現代工業皇冠上的明珠」，其中EUV光刻機更是全球頂尖技術的集結。

EUV光刻機有多難？

在《光刻機之戰》一文中，便對EUV光刻機的難度進行了生動的講解。

文中稱，EUV對集中度有著極高的要求，相當於用手電照到月球光斑不超過一枚硬幣。而且，EUV光刻機要求反射的鏡子必須十分平整，相當於北京到上海做根鐵軌，鐵軌的起步不能超1mm。

由此可見EUV光刻機的技術難度。這也難怪吳漢明院士稱，一個國家或地區做光刻機並不現實。

即使是100%壟斷全球EUV光刻機市場的ASML，也要藉助全球供應鏈的力量，並不是獨立完成。

據瞭解，一臺EUV光刻機約有十萬個零部件，其來自於ASML在全球的5000家供應商。在光刻機內部，美國光源佔比27%，日本材料佔27%，德國光學系統佔14%……

由此不難看出，EUV光刻機是全球化的結晶，且有著極高的技術難度。因此，我國以一國之力攻克EUV光刻機並不現實。

而DUV光刻機的難度則小了許多。

在2007年時，上海微電子便突破365nm光波長的DUV光刻技術，可生產90nm製程晶片。在2016年時，上海微電子解析度為90nm的光刻機實現量產。

同時，我國還有北京國望光學、長春國科精密等光刻機零部件廠商。

可以看出，我國在DUV光刻機領域並非是一片空白，已經打下了一定的基礎。因此ASML才擔憂，對中國禁止出口DUV光刻機，中國會在3年裡實現突圍。

ASML早已經表態，可以不受禁令限制，從荷蘭直接向中國出口DUV光刻機。但是EUV光刻機，ASML卻仍是處在對中國大陸禁止出口的狀態。

文/BU 稽核/子揚校正/知秋