臺積電將在第三季度開始N4工藝進入風險生產階段，明年還會推出N5HPC工藝

2021-06-21 14:45:27

臺積電（TSMC）作為目前全球最大的晶圓代工廠，一直在按部就班推進新工藝的研發。

據Digitime報道，半導體產業鏈的訊息指出，臺積電有望在第三季度開始使用N4工藝生產。N4屬於N5系列，該工藝系列還包括有N5、N5P和N5HPC。雖然都依賴於深紫外光刻（DUV）和極紫外光刻（EUV），兩者雖然有不少共通點，但是仍有區別，是面向不同的應用而設計的。

N5P是N5的效能增強版，頻率上會有5%幅度的提升，或者在相同電晶體數量情況下，功耗降低10%。該工藝可以從N5無縫遷移，如果晶片設計人員需要提供晶片效能或降低功耗，將IP轉移過去即可，相信目前N5P工藝已經可用了。

與N5工藝相比，N4工藝可以提供更多的PPA（功率、效能、面積）優勢，但保持了相同的設計規則、設計基礎設施、SPICE模擬程式和IP。由於N4工藝進一步擴大了EUV光刻工具裝置的使用範圍，還減少了掩模數量、工藝步驟、風險和成本。N4在N5工藝基礎上，可將芯片面積縮小6%，並通過BEOL進一步提高效能和功耗優勢。雖然N4並不是革命性的製造工藝，但對於臺積電現有客戶來說，未來幾年會用在主流產品上。

隨著2021年第三季度N4進入風險生產階段，預計2021年末或2022年初將進行實現大批量製造。

N4工藝投入生產不意味著N5工藝改進的結束，對於高頻率的高效能應用，臺積電會在2022年第二季度提供N5HPC工藝。與N5相比，N5HPC可以將頻率提高7%，同時保持設計上的相容性，對需要高頻率的通用處理器來說會很有用。

臺積電將在第三季度開始N4工藝進入風險生產階段，明年還會推出N5HPC工藝

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