新思科技數字和定製設計平臺獲臺積電3納米制程技術認證

2021-06-27 09:58:55

【TechWeb】6月27日訊息，新思科技近日宣佈，臺積電已在其3納米（nm）製程技術的最新設計規則手冊（DRM）和製程設計套件中，對新思科技的數字和定製設計解決方案進行了認證。此次認證源於雙方多年的廣泛合作，旨在提供經過共同優化的工具、流程和方法學，協助客戶實現理想功耗、效能和麵積（PPA），從而加速高效能運算（HPC）、移動、5G和AI晶片設計領域的下一代創新。

臺積電設計架構管理部副總經理Suk Lee表示：「臺積電的領先技術需要更高水平的EDA協作和創新，以實現3納米制程技術的高效能和低功耗目標。我們與新思科技的長期合作提升了臺積電最新工藝技術的可及性，並最大限度地發揮其優勢。我們將繼續密切合作以實現HPC、移動、5G和AI應用的下一代設計。」

新思科技高度整合的Fusion Design Platform是雙方成功協作的關鍵組成部分，為臺積電的3納米先進製程技術提供全面的全流程設計收斂和緊密的籤核解決方案。新思科技Fusion Compiler和IC Compiler ll佈局佈線產品通過全新的全局詳細布線技術創新實現了結果時序質量（QoR）的優化。全流程、總功耗優化及合理佈局和優化並行技術讓開發者得以同時實現所需的總功耗配置和PPA整體優化目標。

雙方在3納米制程節點下的合作還包括部署其他實現技術，包括對顏色標記和via-pillar高階佈線的支援，以及同時支援高效能和低功耗設計的創新觸發器優化。此外，作為Fusion Design Platform的關鍵組成部分，Design Compiler NXT綜合產品也在合作中得到了強化，通過與IC Compiler II更緊密的時序相關性提供融合度更高的設計流程，從而讓針對N3工藝的所有設計都可獲益。

新思科技與臺積電在3納米技術領域的合作還包括針對低電壓變化的PrimeTime支援，以及針對臺積電佈局規則的支援，以便在實現和籤核期間實現融合的ECO收斂。新思科技的PrimePower支援3納米功率籤核物理規則，包括洩漏和動態功率，以及StarRC提取-建模增強功能，以提供所需的精度。

經過臺積電3納米技術認證的籤核解決方案還包括NanoTime定製時序籤核、ESP定製等效驗證和QuickCapNX寄生參數場域求解器解決方案。新思科技的IC Validator物理籤核經過增強可支援所有先進工藝要求，包括用於提高密度的新的虛擬填充功能、針對電路佈局的LVS驗證，以及針對DRC的增強型三角電壓規則偵錯效率。

Custom Compiler 設計和佈局解決方案是新思科技Custom Design Platform的一部分，可為使用臺積電先進製程技術的開發者提供更高的生產率。Custom Compiler的諸多增強功能經過了新思科技DesignWare IP團隊等早期3納米使用者的驗證，可減少滿足3納米技術要求所需投入的工作量。新思科技PrimeSim HSPICE、PrimeSim SPICE、PrimeSimPro和PrimeSimXA模擬器是PrimeSim Continuum解決方案的組成部分，為臺積電3納米設計縮短迭代時間，並可為電路模擬和可靠性要求提供籤核。

新思科技數字設計事業部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：「整個行業生態系統和我們的客戶都將受益於臺積電與新思科技的密切合作，從而成功突破極限，加快新制程技術的採用。我們針對3納米技術進行的最新數字和定製研發合作將技術創新提升到新的高度，以克服先進製程所帶來的挑戰，從而為雙方共同的客戶及時推出先進產品提供新機會。」

新思科技數字和定製設計平臺獲臺積電3納米制程技術認證

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