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不甘心晶片製造工藝的失敗，Intel也將學習臺積電玩數字遊戲

2021-07-28 03:12:00

據悉Intel方面將改變此前的晶片製造工藝命名規則，以能效比對標臺積電，對它的晶片製造工藝進行重新命名，以求在晶片製造工藝方面實現對臺積電的反超。

Intel首先會將當下的10nm工藝改進版命名為7nm工藝，據悉Intel的10nm工藝改進版的每瓦特效能可望提升10%-15%，在效能方面其實足以對標臺積電的7nm工藝。

Intel如此做在於它在晶片製造工藝的命名上吃了虧，它對於晶片製造工藝的命名嚴格遵循了摩爾定律，即約每隔18-24個月便會增加一倍，效能也將提升一倍，對於晶片製造工藝的升級試圖嚴格遵循這一規律，而臺積電和三星自14/16nm工藝之後就已不再遵循這一規則，而是僅僅以電晶體gate長度來命名先進工藝，在效能方面的提升已遠不如此前的晶片製造工藝。

正是由於臺積電和三星在先進工藝的命名上的激進態度，它們的先進工藝不斷演進，而試圖嚴格遵守摩爾定律的Intel則卡在效能提升方面而無法如期推進它的10nm、7nm工藝的量產，這也被業界吐槽臺積電和三星在先進工藝方面玩弄了數字遊戲。

業界猜測，在先進工藝製程命名方面，三星可能更為激進，它的5nm工藝可能遠不如臺積電的5nm工藝，估計也是因為三星的5nm工藝效能未能達到預期，導致它代工的高通驍龍888晶片出現發熱問題。

其實早在臺積電推出10nm工藝的時候，Intel就曾列出它的14nm工藝改進版與臺積電的10nm工藝的參數對比，不過業界對此反映冷淡，此後臺積電每1-2年就升級一代工藝，先後投產了7nm、5nm工藝，而Intel的10nm則延遲了5年時間至2019年才投產，如今Intel的7nm工藝又再次延遲到2021年投產，在晶片製造工藝的研發上顯然落後於臺積電的進展。

針對臺積電、三星和Intel的晶片製造工藝差距，日前臺灣媒體digitimes就曾對三家企業的晶片製造工藝做了對比，它主要以電晶體密度（每平方毫米電晶體數量）作為參考指標，對比了三家企業的10nm、7nm、5nm、3nm、2nm，其中Intel的5nm和3nm為預估值，臺積電和三星的3nm、2nm工藝為預估值。

digitimes的分析認為，在10nm工藝上，Intel的電晶體密度就已領先於三星和臺積電，此後雙方的差距在的差距逐漸拉大。據digitimes的分析，它認為就電晶體密度而言，臺積電和三星的7nm工藝還稍微落後於Intel的10nm工藝，到了5nm工藝上三星又與臺積電拉開了差距，它認為三星的3nm工藝才接近臺積電的5nm工藝和Intel的7nm工藝。

顯然如今Intel似乎吸取了這種營銷的教訓，對晶片製造工藝的命名作出了修改，除了將10nm工藝改進版命名為7nm工藝之外，它將到明年投產的原7nm工藝則命名為4nm工藝。

Intel、臺積電和三星三家晶片製造廠對晶片製造工藝的命名遊戲，凸顯出三家晶片製造企業的激烈競爭關係，只是Intel如今修改晶片製造工藝的命名規則勢必會引發巨大的爭議，而臺積電和三星會不會也因此而修改命名規則，比賽下各自的數字遊戲呢？


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