英特爾NAND，以持續技術優勢引領儲存市場發展

剛剛過去的4月，英特爾釋出了全新的第三代至強可擴展處理器，業內用「Ice Lake is coming」來形容英特爾10納米的強勢登場，這股「Ice Lake」的風潮非但沒有給炎熱的初夏帶來一絲涼意，反而引爆了英特爾的新品釋出熱潮。立夏剛過，英特爾又釋出了全新第11代智慧酷睿高效能移動版處理器，代號「Tiger Lake-H」。從DC到PC，英特爾似乎在向業界展示誰才是真正的「晶片之王」。

不知道還有多少人記得，以儲存起家的英特爾在去年官宣的一則訊息：2020年10月20日，英特爾宣佈，同意SK Hynix以90億美元收購該公司NAND快閃記憶體業務，以及英特爾在中國大連的NAND快閃記憶體製造工廠，但仍保留其傲騰技術和業務。

該訊息一出真可謂一石激起千層浪，各種分析紛紛攘攘，無論是唱衰還是唱好各有擁躉。

眾所周知，類似這種行業巨頭間的收購工作並非一夕之間就可以完成的，公開資訊披露，受監管批准與相關條件限制，雙方的交易有望在2025年3月全部完成。

那麼，曾以3D NAND在快閃記憶體產品中「獨領風騷」的英特爾目前該業務領域處於怎樣的狀況？是否還會繼續進行產品的更新迭代？是否還能保持技術上領先優勢？《計算機世界》記者帶著這些問題走訪了英特爾NAND產品與解決方案事業部的幾位專家。

一，是否還有快閃記憶體新品？

「未來，記憶體與儲存層次結構的認知和產品規劃，仍舊如大家熟悉的英特爾儲存金字塔所示，不會有所變化。」英特爾NAND產品和解決方案事業部中國區銷售總監倪錦鋒在接受採訪時表示，「英特爾的儲存產品將一如既往的出貨及更新」。

據瞭解，在企業端，繼2020年上半年出貨的固態盤D7-P5500和D7-P5600，2021年上半年資料中心產品將主打4款產品。除了目前已發售的D7-P5510外，英特爾在2021年第2季度和稍後時間陸續發售D5-P5316、D3-S4520和D3-S4620。

而在客戶端、消費層產品方面，將主打2款產品，目前在市場上已經可以看到的固態盤660P和670P。

二，如何保證技術優勢？

談及技術優勢，英特爾技術專家向記者表示，作為提供第一個QLC PCIe 3D NAND固態盤的企業，英特爾擁有超過30年的快閃記憶體單元經驗，而要保持領先地位無外乎三個方面，外形規格上的創新、擴展更多層的儲存單元、提高每單元的位數。

英特爾技術專家坦言：「英特爾在3D NAND固態盤當前的領先技術，就是面向未來的路線圖，不管是優化的EDSFF外形介面，還是144層的TLC和QLC，抑或是5b/c的浮柵技術前景。」

在採訪中，記者發現英特爾堅持「通過最高面密度，為快閃記憶體的應用實現更好的經濟效益」。

相比較傳統柵極技術達到128-層TLC，英特爾通過浮動柵極技術實現144-層TLC，加上陣列下CMOS實現最高面密度，通過更小的FG單元和更高效的陣列的技術搭配，實現面密度提高10%，同時每個晶圓可以承載更高的GB，做到容量擴大和製造效率的提高。

其浮柵單元的特點包含了：良好的讀取閥值電壓視窗；單元之間良好的電荷隔離；良好的資料保留。可以說，英特爾正是憑藉QLC 3D NAND在行業佔據了領先地位。

基於成熟的單元技術——垂直浮柵快閃記憶體單元可以深度瞭解通過隧道氧化層來控制電子的物理學原理，同時離散單元隔離能夠將跨單元干擾的風險降至最低，此外垂直單元中的電子數量提高6倍左右，可提高控制能力。通過強大的電荷損失保護功能，在設計上就確保了高可靠性。

對於浮動柵極是如何提供更高的資料維持率？英特爾技術專家介紹道，較小的讀取視窗帶來了準確性挑戰，很小的洩漏量即可導致讀取錯誤，在資料保留方面，浮動柵極NAND單元優於電荷擷取快閃記憶體，從而提高QLC資料維持能力和讀寫壽命。

總體來看，英特爾3D NAND的優勢在於：

·英特爾3D NAND基於單元技術而構建，擁有超過30年經過驗證的可靠性和質量，可謂快閃記憶體單元技術創新的的引領者；

·QLC NAND技術的每單元位數比TLC NAND提高33%，並提供了業界領先的面密度，可以助力使用者實現更好的經濟效益；

·在資料保留方面，浮動柵極NAND單元優於電荷擷取，這種設計提高了資料讀取的可靠性。

儘管目前為止，對於QLC業內仍有一些疑問，但從應用層面看，在耐久性、效能、質量和可靠性、成熟度等方面，英特爾QLC 3D NAND固態盤都體現出了很強的優勢。

另一位英特爾技術專家則以D5-P5316為例，展示了其為何被稱作是大規模儲存容量且塑造靈活效能的代表性產品。

依靠業內領先的密度、嚴苛的質量和可靠性D5-P5316讓客戶能夠充滿信心地在溫儲存中進行大規模部署。對於適應場景來說，英特爾QLC PCIe NAND固態盤針對需要快速訪問大型資料集的讀取密集型工作負載進行了優化，更加適合雲端儲存、AI、CDN、HCI、HPC等。此外，大規模整合儲存空間，1U內最高1PB，把溫儲存佔用的空間減少最多20倍，從而大幅降低TCO。

結語

在採訪的尾聲，筆者回憶起兩張圖片，一張是英特爾的「六大技術支柱」，一張是英特爾的「儲存金字塔」架構圖。

筆者認為，作為六大技術支柱之一的記憶體&儲存，以及在儲存架構中不可缺少的3D NAND，其重要性不言而喻。堅持「快閃記憶體層數是衡量其快閃記憶體先進性最直觀的維度」，保持在非易失性儲存領域的領跑地位。正如倪錦峰所言「我們的願景就是成為行業領先的儲存與記憶體解決方案公司」。

至於未來，成敗還是應該交由市場來檢驗。

本文來源：計算機世界