攻2納米！日本與中國臺灣合作開發出新一代晶體管結構CFET

2021-03-08 20:05:14

集微網消息，隨著集成電路製造工藝持續微縮，晶體管結構的細微化逐漸成為產業重要的課題之一。據悉，日本產業技術綜合研究所與中國臺灣半導體研究中心（TSRI）等展開合作，開發了用於新一代半導體的新型晶體管結構。

據日經中文網報道，最近日本產業技術綜合研究所與中國臺灣半導體研究中心（TSRI）等開發出新一代半導體必需的新結構的場效應晶體管（FET），即將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應晶體管靠近的名為「CFET」的結構。

報道稱，與此前的晶體管相比，CFET結構的晶體管性能高、面積小，有助於製造2納米以下線寬的新一代半導體。

據悉，這一研究成果發表於2020年12月在線上舉行的半導體相關國際會議「IEDM2020」。該項新技術有望在今後約3年裡對民營企業進行轉讓，實現實用化。（校對/樂川）

三維異質溝道互補式場效應晶體管的外觀