說起日本在半導體材料方面的成績，相信大家都是清楚的。目前日本壟斷了全球70%左右的半導體材料，比如光刻膠、矽晶圓、特氣、靶材等等。
日本為何在半導體材料方面這麼強大，這是因為上世紀80年代的時候，日本曾經在半導體領域是全球第一，比美國還要強。
後來美國出手，廢了日本半導體的武功，於是日本開始調整產業鏈，向最上游的材料、裝置出發，然後重金投入，從而有了今天的地位。
不過隨著第二代、第三代半導體材料的誕生，很多人以為日本在半導體材料方面的優勢，可能會慢慢失去，畢竟第二、三代半導體材料方面，日本似乎並沒有領先多少。
但近日，日本卻在第三代的新半導體材料方面，再次走到了世界前列，日企Novel Crystal Technology全球首次量產了100mm（4英寸）的「氧化鎵」晶圓，並且將於今年就可以提供量產出來的晶圓產品。
氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，也是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。
氧化鎵功率元件的市場規模，比當前最為火爆的氮化鎵功率元件的規模其實還要大，也被認為是未來光電子時代最重要的半導體材料。
所以日本首發「氧化鎵」晶圓是相當於具有意義的，更重要的是，量產的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的裝置製造新一代產品，有效保護了企業的投資，不用全部革新裝置，使得進度更快，投資更小。
可見，中國企業真的要加油，在第一代半導體材料上，我們已經嚴重落後於日本、美國企業，不要在新材料上，再次落後太遠，畢竟落後就要捱打，就有被卡脖子的可能。
