1nm重大突破！臺積電公佈新武器，三星、英特爾望塵莫及

2021-05-19 18:32:19

雖然摩爾定律已經接近物理極限，但半導體業界對於更先進工藝製程的研究從未停止，比如臺積電、三星、IBM等行業巨頭，已經在3nm及以下工藝上取得了突破。

臺積電公佈「鉍」密武器

5月6日晚間，IBM正式官宣了全球首款採用2nm工藝的晶片。這一訊息直接震驚了業界，雖然目前IBM的2nm工藝還處於實驗室階段，但這意味著，在全球半導體企業的製程大戰中，IBM取得了領先。

不過，IBM的領先優勢只維持了短短几天，全球代工巨頭臺積電便官宣了最新的研發進展。據悉，臺積電已經和美國麻省理工學院等合作研發出一種新型半導體材料——半金屬鉍，這種材料可以幫助臺積電實現1nm及以下工藝製程。

眾所周知，矽一直是半導體生產過程中的主流材料，但隨著矽材料物理極限的逼近，工藝製程、晶片效能等都很難再往前推進。

因此，找到矽的替代材料一直是業界所希望取得的而突破，目前來看，臺積電再次走在了行業前列。據悉，半金屬鉍可以最大幅度降低電阻，提高電流傳輸速度，有助於突破摩爾定律的極限。

三星、英特爾望塵莫及

與競爭對手三星、英特爾相比，臺積電的領先優勢無疑將在現有基礎上，進一步擴大。按照臺積電的說法，其3nm工藝將在今年年底進行風險試產。

但也有供應鏈訊息傳出，臺積電3nm工藝進展順利，試產進度也比原計劃提前，且臺積電正在考慮赴美建設3nm晶片工廠，耗資超1600億人民幣。

除了3nm，臺積電此前曾明確表示過，2nm工藝也將按計劃時間表推出。作為全球最大的代工廠，臺積電無論在研發水平亦或是資金實力方面，都具有對手們無可比擬的優勢。

當臺積電正在朝著物理極限不斷挑戰之時，老對手三星不僅在7nm、5nm時代均處於下風，在3nm工藝上獨闢蹊徑採用的納米片電晶體技術，也遭到不少質疑。

據悉，三星將在今年6月份展開4nm和3nm的風險試產，如果此訊息為真，三星或許具備與臺積電一戰的實力。

而另一對手英特爾則還在艱難擠牙膏中。目前，英特爾還卡在7nm工藝遲遲無法突破，想要追趕臺積電和三星，已然十分困難。

結語

綜合來看，臺積電再次展示了代工龍頭的實力，新型半導體材料的研發無疑將使臺積電的領先優勢更加得到鞏固。

文/禹汐審/球子