GDDR5 vs DDR5 vs LPDDR5記憶體有什麼區別？

2021-05-20 17:01:56

現代計算機使用許多不同種類的記憶體：DDR4，GDDR5，GDDR6，LPDDR4，HBM等。儘管這些都是基於DRAM的，但它們之間還是有一些關鍵的區別。DDR4在大多數PC中用作主儲存器，並且是DRAM中最流行的形式。GDDR5和GDDR6在圖形卡中用作專用圖形記憶體。儘管它也基於DRAM，但它與DDR4有所不同。

許多人在兩者之間感到困惑，並且可以互換使用它們。智慧手機和其他移動裝置中還使用了LPDDR4記憶體，伺服器和百億美元計算機中也使用了HBM。在本文中，我們將探討DDR4和GDDDR5記憶體之間的差異，並簡要介紹LPDDR4，以及它與前者有何不同。

DDR4，DDR5，GDDR5，GDDR6

DDR4和DDR3均在每個通道上使用64位記憶體控制器，這導致128位匯流排用於雙通道記憶體，而256位匯流排用於雙通道記憶體。四邊形-渠道。另一方面，GDDR5和DDR5記憶體都使用32位控制器。前者可以使用任意數量的32位控制器，而後者每個DIMM具有兩個。在CPU記憶體配置具有更寬但更少的通道的情況下，GPU可以支援任意數量的32位記憶體通道。這就是許多高階GPU（例如GeForce RTX 2080 Ti和RTX 2080）分別具有384位和256位匯流排寬度的原因。兩種RTX 20系列卡均通過8個（用於2080）和12個（用於Ti）32位記憶體控制器或通道連線到1GB記憶體晶片。GDDR5 / 6也可以在所謂的翻蓋模式下工作，在該模式下，每個通道而不是連線到一個記憶體晶片，而是分成兩個通道。這也使製造商能夠將儲存容量增加一倍，並使混合儲存配置（例如具有192位匯流排寬度的GTX 660）成為可能。

GTX 670在八個通道中具有四個512 MB晶片

GTX 660 Ti具有四個記憶體堆棧，頂部是翻蓋模式（每個堆棧包裝兩個）。這樣可以將匯流排寬度減小到192位而不是256位

GTX 660 PCB

DDR4 / 5和GDDR5 / 6記憶體之間的另一個核心區別是I / O週期。就像SATA硬碟，DDR4只能在一個週期內執行一項操作（讀或寫）。GDDR5可以在同一週期內處理輸入（讀取）和輸出（寫入），實質上使匯流排寬度加倍。GDDR5和DDR4的突發長度都限制為8（或每個週期32B x 2）和8n的預取。LPDDR4 / LPDDR4x與LPDDR5與DDR5

LPDDR5的電源效率甚至比LPDDR4和LPDDR4x更高。由於使用了動態電壓縮放（DVS），它可以根據負載調整電壓，進而調整儲存頻率。與LPDDR4 / 4x一樣，LPDDR5也具有雙16位通道，並且突發長度最多為32（大多數為16）。

另一方面，DDR5每個DIMM具有兩個32位通道（DDR4每個通道具有一個64位），具有突發長度，每個通道的預取為16n（DDR4的一半）。根據JEDEC標準，DDR5和LPDDR5都將支援最高6400 Mbps的速度，儘管我們不會在第一批模組中看到它們。LPDDR5還可以將每個通道的密度提高到32Gb，對於VDD的工作電壓低至1.05 / 0.9V，對於I / O的工作電壓低至0.5 / 0.35V。

最後，LPDDR5還具有更靈活的儲存體結構。儘管DDR5包含32個儲存區，但其移動版本可以從4到16個儲存區不等，最多可以有四個儲存區組（儘管通常是1-2個）。總體而言，LPDDR5改善了電源效率，並提高了移動儲存器的頻率和頻寬，同時保持了LPDDR4 / LPDDR4x眾所周知的靈活性。

#科技日報#

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