時代全芯如何化解新資料時代的挑戰？

來源：時刻頭條

抗疫期間，多家網際網路企業紛紛加強大資料在疫情防控中的應用。小到社群，大到部委相關部門，都將大資料作為不可或缺的防疫工具。行程卡和健康碼的使用，實現了對每個行人行程的精確管控，為疫情治理工作提供了強有力的支援。

資料，資料！

之所以能有如此準確、高效的識別率，正是資料的力量，資料尤其是大資料，作為新一輪工業革命中最為活躍的技術創新要素，正在全面重構全球生產、流通、分配、消費等領域，對全球競爭、國家治理、經濟發展、產業轉型、社會生活等方面產生全面深刻影響。

與源於敲鍵盤或者點選智慧手機的傳統資料時代不同，如今，資料更多的來自裝置，如攝像頭、感測器、鐳射雷達等來自動採集，資料從採集、管理和應用到最後歸檔的資料資產過程中，還會產生很多新的資料，如資料類型就有很大的變化，原先人們採用的都是關係型資料庫，今天更多是圖片、視訊、音訊等非結構化的資料。

根據國際資料公司IDC統計顯示，全球近90%的資料將在這幾年內產生，預計到2025年，全球資料量將比2016年的16.1ZB增加十倍，達到163ZB。

來源：前瞻產業研究院

在不斷的發展過程中，資料的角色也開始悄然改變，PC、網際網路、消費級移動裝置的興起宣告了新資料時代的來臨。央行正在進行的數字貨幣試點就是這樣一個例子——未來人們手中持有的都是數字錢包，而貨幣也不再是一張張一枚枚的紙幣硬幣，取而代之的是純數字化的形式，數字就是人們的資產，這個看得見但摸不著的虛擬貨幣就是人們的核心資產。而資料的載體就是儲存器。

誠如前文所言，資料無論在資料量還是角色方便都發生了轉變，這樣一種轉變在物聯網與5G等先進技術的加持下，將會變得更加明顯。

智慧化時代裡，萬物智聯，儲存行業市場空間將進一步加大，對資料儲存在速度、功耗、容量、可靠性層面也將提出更高要求。對於現有的儲存器而言，DRAM雖然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且斷電無法儲存資料，使用場景受限；NOR Flash和NAND Flash讀寫速度低，儲存密度受限於工藝製程。

市場亟待能夠滿足新場景的儲存器產品，效能有著突破性進展的新型儲存器即將迎來爆發期。有業內人士指出，新的儲存技術必將取代現有儲存技術，這是歷史發展的必然趨勢。

PCM的魔力

PCM(Phase Change Memory)即相變儲存器是全球公認的最為成熟的新一代儲存技術，資料顯示，PCM 速度慢於 DRAM，但比 Flash 快近 1000 倍；PCM 儲存密度高於 DRAM，但是比Flash 要低。目前儲存器運用過程中，DRAM 和 Flash 兩者在整個系統中不匹配，需要新的儲存器來構建整個架構，PCM優勢很多，市場有很大的需求，很多公司在推動其產業化的程序。英特爾、三星、ST等儲存企業都將相變儲存納入了下一代儲存的方向。

三星 2008 年基於 90nm 工藝製備 512Mb 相變儲存器晶片；2011 年基於 58nm 工藝製備 1Gb 相變儲存器晶片；2012 年基於 20nm 工藝製備 8Gb 相變儲存器晶片；2014 年釋出相 變儲存器的產業報告。

美光 2009 年基於 45nm 工藝製備 1Gb 相變儲存器晶片；2011 年釋出第一款基於相變儲存器 的 SSD；2013 年基於 45nm 工藝 1Gb 相變儲存器晶片實現量產；2015 年聯合 Intel 釋出 3D Xpoint。

意法半導體 2009 年聯合恆億共同釋出 90nm 工藝 4Mb 嵌入式相變儲存器晶片；2010 年，釋出了《通過材料改性工程 N-GeTe 實現更好的熱穩定性及資料保持》；2013 年，釋出了《通過材料改性工程 N-Ge-GST 實現 SET 與高低組保持的效能平衡》。

但目前全球量產相變儲存產品的僅有美國的英特爾和中國的北京時代全芯儲存技術股份有限公司（AMT）兩家企業。

據悉，英特爾的產品主要為大容量的3D X Point產品，已廣泛用於我國各大資料中心的伺服器中，如百度雲、阿里雲、平安雲、騰訊雲等。根據公開資料：英特爾傲騰資料中心級持久記憶體的引入讓平安雲新平臺的記憶體採購成本降低了22.5%—48%；英特爾傲騰資料中心級持久記憶體讓快手Redis服務的TCO降低了30%。英特爾傲騰固態盤用於中國電信四川ABM系統後的儲存效能獲得顯著提升，穩定性也更加優異。中興通訊也已將英特爾傲騰128GB記憶體條用在其的資料中心。

而時代全芯目前的量產產品主要以中低容量的可pin to pin替換的EEPROM和NOR FLASH儲存為主，同時也已經基本研發完成與英特爾傲騰產品類似的DRAM Like產品，並將與主控晶片廠商進行合作開發。未來時代全芯的大容量儲存產品將應用於行動通訊裝置、個人電腦、資料中心等各類產品中。

資料顯示，北京時代全芯儲存技術股份有限公司（AMT）從2010年開始進入相變儲存領域，在北京、香港、紐約和臺灣分別設有研發中心，在江蘇淮安設有一座12寸晶圓廠—江蘇時代芯存半導體有限公司（AMS），可達到年產6萬片的規模。目前EEPROM、NOR FLASH等中低容量pin to pin儲存產品已進入量產，DRAM Like等大容量儲存已基本研發完成，將與主控晶片廠商合作推出高效能換代產品。

時代全芯如何應對新資料時代挑戰？

作為一家國產公司，時代全芯能夠在巨頭林立的儲存市場中闖出一番天地與其發展方針和對人才的建設密不可分。

在大方向上，積體電路一直以來都是我國卡脖子的產業，在過去中國經濟快速發展的十多年裡，時代全芯始終緊跟國家戰略方向，根據對我國未來產業和我國經濟形勢的發展趨勢，做出公司發展方向的決策：做自主可控的儲存晶片。

在公司決策方面，時代全芯的創始人張龍先生長期從事高科技產業投資，服務的許多企業都與晶片領域相關。在從事投資的過程中也結識了IBM等一批全球頂尖科技企業的科學家，長期的共同工作與交流讓張龍先生更加堅信高科技企業是未來的主角，他也將創立自主可控的儲存晶片企業作為了自己人生目標。

在人才的選擇方面，時代全芯長期以來十分重視人才建設，公司以全球化的人才戰略組建了一支全球一流的積體電路人才隊伍，核心技術人員均來自國際一線積體電路設計和生產企業。

不僅如此，隨著公司規模化量產和大容量產品的開發，時代全芯還將加大對PCM材料、積體電路生產工藝、儲存晶片設計等方面人才的吸引和培養，完善企業內部人才的儲備，加強與全球知名半導體企業的人才互動，吸引更多的全球精英人才服務「中國芯」。

與此同時，時代全芯還在加強與本地高校的合作，促進產學研一體化，為本地積體電路專業人才提供成長和發揮才能的平臺。2019年AMT科研院成立，在首批院士和技術骨幹的帶領下，時代全芯技術人才隊伍不斷攻克技術難關，取得了豐碩的成果，為時代全芯的創新發展做出了貢獻。

未來，時代全芯科研院將肩負更大責任，承擔更艱鉅的任務，從企業內部打造攻克困難，奪取勝利的文化，推動企業技術的持續更新和快速發展。創新人才激勵機制，以人為本，讓員工獲得更多的成就感和歸屬感，保持人才的競爭力。

說在最後

回看整個中國儲存市場，儲存器市場國產化率極低，傳統儲存器先進技術均掌握在美國、韓國和日本手中，中國在最新產品效能上落後5-10年。三星、海力士和美光壟斷了以DRAM為代表的易失性儲存器市場，而以NAND為代表的非易失性儲存器也被三星、鎧俠、閃迪、美光和海力士壟斷。

但在PCM等新型儲存器的發展上，中國與其他國家站在同一起跑線，都有機會出現下一個三星和海力士。在這中國儲存產業突圍的關鍵時期，一系列相關政策陸續出臺，重點支援儲存行業。

國家「十四五」規劃綱要中，在加強原創性引領性科技攻關方面，「先進儲存技術升級」被列入「科技前沿領域攻關」重點領域；在加快推動數字產業化方面，《綱要》提到，培育壯大人工智慧、大資料、區塊鏈、雲端計算、網路安全等新興數字產業，提升通訊裝置、核心電子元器件、關鍵軟體等產業水平。

目前，很多曾在世界頂尖企業擔任高管的產業專家紛紛回國創業，不僅帶來了先進技術和經驗，也吸引了一批有志之士共同打造中國芯。如時代全芯這樣的企業，集結了一批國內外優秀人才，立足於相變儲存技術，發展完全自主可控的各類儲存晶片，並在不斷突破自我的過程中前進。

天時地利人和之下，中國新型儲存器未來可期！