由於我國在晶片領域起步較晚,基礎較為薄弱。所以相比西方發達國家,我國晶片設計、製造水準都相對比較落後。而近兩年我國在科技產業發展迅速,晶片需求與日俱增。根據公開資料顯
2021-06-18 19:31:44
由於我國在晶片領域起步較晚,基礎較為薄弱。所以相比西方發達國家,我國晶片設計、製造水準都相對比較落後。
而近兩年我國在科技產業發展迅速,晶片需求與日俱增。根據公開資料顯示,國內科技企業進口晶片規模超過了2萬億,晶片已經成為我國第一大進口商品。
同時,美國對國內不少企業釋出晶片禁令,許多科技企業深受影響,這也讓我國意識到發展國產化晶片產業鏈的重要性。
而在國家大力支援下,我國成功掀起了一股研芯、造芯潮流,除了在基礎的矽基半導體加大研究之外,還在光子晶片領域深入研究,並取得了重大突破。
6月16日訊息,中科院郭光燦院士院隊就在光量子晶片研究中取得重大進展,首次在拓撲保護光子晶體晶片中實現量子干涉。
這項成果的意義在於,為我國晶片半導體發展提供了一個新的思路,讓我國實現光子晶片更進一步。
要知道,目前的摩爾定律已經到了極限,各國都在積極尋找應對措施,主流方案是找到可替代矽基的半導體材料。而我國在光子晶片領域實現技術突破,就是證實了繞開摩爾定律的可行性。這也意味著,我國在尋找替代矽基的半導體材料過程中已經走在了前列。
值得一提的是,這並非是我國半導體產業近期唯一的研究成果。事實上,國產晶片正在全面開花。根據中科院6月11日放出的訊息來看,上海光機所提出了一種快速光學臨近效應修正技術,模擬結果表明,這項新的修正技術擁有較高的修正效率。
不僅如此,在晶片製造的核心裝置光刻機方面,上海微電子研發的28nm光刻機已經通過技術測試,預計將會在今年年底就能進行交付。
並且,在刻蝕機方面,我國也是領先全球。6月15日訊息,中微半導體首臺8英寸的刻蝕機裝置已經順利交付客戶生產線,該裝置屬於中微半導體自主研發,可以進行8英寸晶圓的加工。
據悉,中微半導體的工藝節點已經達到5nm,其刻蝕機裝置已經成功進入臺積電的5nm產線。
我國晶片產業在全力突破的同時,還在積極培養半導體產業相關人才。目前國內清華大學、北京大學以及復旦大學等八所高校都已經有所行動。
所以,在國內半導體企業和高校共同努力之下,未來,相信我國會在晶片方面完全自主,打破海外的壟斷。
文/球子 審/JING
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